三星新一代HBM3内存阵脚速率更高 达到了8Gbps/pin

AMD及Intel的新一代平台已经支持了DDR5内存，双通道的带宽轻松超过50GB s，高频版的逐渐逼近100GB s，然而这个性能跟HBM3内存比起来还是小

AMD及Intel的新一代平台已经支持了DDR5内存，双通道的带宽轻松超过50GB/s，高频版的逐渐逼近100GB/s，然而这个性能跟HBM3内存比起来还是小巫见大巫，三星已经研发了新的HBM3内存，带宽轻松超过1024GB/s。

JEDEC组织今年初发布了HBM3的标准，继续在存储密度、带宽、通道、可靠性、能效等各个层面进行扩充升级，其中传输数据率在HBM2基础上再次翻番，每个针脚(pin)的传输率为6.4Gbps，配合1024-bit位宽，单颗最高带宽可达819GB/s。

三星研发的新一代HBM3内存阵脚速率更高，达到了8Gbps/pin，堆栈4颗的情况下带宽轻松达到1024GB/s，是DDR5内存的十几倍。

另外，频率越高的话出错也更多，为此三星还有更强的内存纠错功能，每个HBM内存芯片都内置了1组ECC纠错电路，确保数据准确性。

三星的HBM3内存没有公布何时上市，不过真要应用的话应该也会首先用于数据中心显卡及处理器上，消费级平台使用的可能性不大，毕竟HBM3的成本是普通用户无法承受的。

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